[发明专利]微机电系统装置的气密性密封

摘要

本发明涉及微机电系统装置的气密性密封和制造这些装置的方法。所述装置包括光学、微机电、电子和光电装置，其具有基板，基板上有一个或多个单独或组合的光学、光电、电子或微机电(“MEMS”)元件；具有顶部和延伸物的外壳，所述延伸物从顶部延伸一段距离，和用于将外壳的延伸物部分粘合于基板的粘合剂；以及，气密性密封外壳延伸物与基板粘合处区域的密封剂。本发明方法中，用原子层沉积技术施加密封剂。

主权项

一种气密性密封的装置，所述装置包括：基板，其上具有单独或任意组合的光学、光电、电子或微机电(“MEMS”)元件，包括从所述元件和/或所述基板上伸出的任何电极或电线，所述电极或电线可用于在所述元件和分离的其它装置或元件间建立电学接触；外壳，其具有顶部和有厚度和长度的延伸物，所述顶部具有顶面和底面，所述延伸物从所述底面上围绕所述外壳顶部的整个周长或周界在一个方向延伸一段距离；粘合剂，将所述外壳延伸物粘合于所述基板，所述的粘合剂还把所述外壳延伸物粘合于从所述元件向室外独立的元件或装置伸出的任何电极或电线，所述室由粘合于基板的外壳所限定；和密封剂，其与所述外壳延伸物、粘合剂和基板包括任何电极和/或电线接触，以气密性密封所述室内的光学、光电、电子或微机电元件，而允许电极和/或电线从室内元件通向室外独立的其它装置或元件，仅在所述粘合剂把所述外壳粘合于所述基板的拐角区处提供密封剂的密封；和所述密封剂选自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、Y2O3、MgO、CeO2、La2O3、SrTiO3、BaTiO3和含氟的二氧化硅；以及任意前述物质的组合的化合物/层叠的层。