[发明专利]一种GaN LED外延片结构及制备方法有效
| 申请号： | 201310167524.5 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103258930A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王东盛;梁红伟;杜国同 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 徐淑东 |
| 地址： | 116001 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED发光结构，尤其是一种GaN LED外延片结构及制备方法。一种GaN LED外延片结构及制备方法，包括GaN LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比，使用了pGaN六角微米棒技术的LED更高效，由全内反射造成的光损失最小。同时带有pGaN六角微米棒技术的LED性能稳定，电学性能和老化性能同传统平表面LED几乎没有区别。此外，带有pGaN六角微米棒技术的LED与传统平表面LED在制作成本上面也并没有提高。本发明简单紧凑，工艺简单，耐腐蚀，提高了LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有pGaN六角微米柱的GaN LED外延片结构，其特征是：包括GaN LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。
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