[发明专利]一种GaN LED外延片结构及制备方法有效
申请号: | 201310167524.5 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN103258930A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 王东盛;梁红伟;杜国同 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 徐淑东 |
地址: | 116001 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种LED发光结构,尤其是一种GaN LED外延片结构及制备方法。一种GaN LED外延片结构及制备方法,包括GaN LED外延片结构层,和采用pGaN六角微米柱层(106)作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比,使用了pGaN六角微米棒技术的LED更高效,由全内反射造成的光损失最小。同时带有pGaN六角微米棒技术的LED性能稳定,电学性能和老化性能同传统平表面LED几乎没有区别。此外,带有pGaN六角微米棒技术的LED与传统平表面LED在制作成本上面也并没有提高。本发明简单紧凑,工艺简单,耐腐蚀,提高了LED器件的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 gan led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种带有pGaN六角微米柱的GaN LED外延片结构,其特征是:包括GaN LED外延片结构层,和采用pGaN六角微米柱层(106)作为p型导电层的表面。
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