[发明专利]一种GaN LED外延片结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310167524.5 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN103258930A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 王东盛;梁红伟;杜国同 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 徐淑东
地址: 116001 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种LED发光结构,尤其是一种GaN LED外延片结构及制备方法。一种GaN LED外延片结构及制备方法,包括GaN LED外延片结构层,和采用pGaN六角微米柱层(106)作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比,使用了pGaN六角微米棒技术的LED更高效,由全内反射造成的光损失最小。同时带有pGaN六角微米棒技术的LED性能稳定,电学性能和老化性能同传统平表面LED几乎没有区别。此外,带有pGaN六角微米棒技术的LED与传统平表面LED在制作成本上面也并没有提高。本发明简单紧凑,工艺简单,耐腐蚀,提高了LED器件的发光效率。
搜索关键词: 一种 gan led 外延 结构 制备 方法
【主权项】:
一种带有pGaN六角微米柱的GaN LED外延片结构,其特征是:包括GaN LED外延片结构层,和采用pGaN六角微米柱层(106)作为p型导电层的表面。
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