[发明专利]晶圆边缘芯片平坦化方法有效
| 申请号： | 201310167821.X | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104143507B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王坚;杨贵璞;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶圆边缘芯片平坦化方法，包括步骤：提供待研磨晶圆，待研磨晶圆上分布若干待研磨芯片；将待研磨晶圆吸附于研磨头下，研磨头具有边缘区域和中心区域，研磨头的边缘区域内的下压力作用于待研磨晶圆的边缘区域，研磨头的中心区域内的下压力作用于待研磨晶圆的中心区域；将吸附有待研磨晶圆的研磨头移至研磨垫上；设置研磨头的边缘区域内的下压力为4.5‑6.0psi，研磨头的中心区域内的下压力为3.5‑4.5psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从初始值研磨至第一设定值；以及设置研磨头的边缘区域内的下压力为0.8‑1.5psi，研磨头的中心区域内的下压力为0.7‑1.2psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从第一设定值研磨至目标值。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 芯片 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆边缘芯片平坦化方法，其特征在于，包括步骤：提供待研磨晶圆，待研磨晶圆上分布若干待研磨芯片；将待研磨晶圆吸附于研磨头下，研磨头具有边缘区域和中心区域，研磨头的边缘区域内的下压力作用于待研磨晶圆的边缘区域，研磨头的中心区域内的下压力作用于待研磨晶圆的中心区域；将吸附有待研磨晶圆的研磨头移至研磨垫上；设置研磨头的边缘区域内的下压力为4.5‑6.0psi，研磨头的中心区域内的下压力为3.5‑4.5psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从初始值研磨至第一设定值；以及设置研磨头的边缘区域内的下压力为0.8‑1.5psi，研磨头的中心区域内的下压力为0.7‑1.2psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从第一设定值研磨至目标值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
