[发明专利]光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统有效
| 申请号： | 201310168107.2 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390697A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈自强;A·J·洪;金志焕;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/077;H01L31/0368;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 形成 方法 以及 等离子体 增强 化学 沉积 pecvd 系统 | ||
【主权项】：
一种形成光伏器件的方法，包括：提供衬底；以及在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层，所述一个或多个层的沉积包括以下步骤：执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分；以及执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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