[发明专利]半导体紫外光源器件有效
| 申请号： | 201310168605.7 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311388A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;高英 | 申请（专利权）人： | 青岛杰生电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人： | 刘晓 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体紫外光源器件，所述器件的外延结构包括：至少一个N-型层、至少一个P-型层和至少一个发光区，所述发光区在所述N-型层和所述P-型层之间且包含至少一个量子阱，所述量子阱至少被量子垒所包裹，所述器件的外延结构还至少包含一正离子区于所述发光区一侧；一负离子区于所述发光区另一侧，所述正离子区与负离子区产生的外加电场抵消或减小量子阱中的极化电场。本发明使得量子阱带边更平缓，增加了电子-空穴的空间交叠几率，从而提高量子阱的发光效率，同时可以提供更低的正向工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 紫外 光源 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体紫外光源器件，所述器件的外延结构包括：至少一个N‑型层、至少一个P‑型层和至少一个发光区，所述发光区在所述N‑型层和所述P‑型层之间且包含至少一个量子阱，所述量子阱至少被量子垒所包裹，其特征在于：所述器件的外延结构还至少包含一正离子区于所述发光区一侧；一负离子区于所述发光区另一侧，所述正离子区与负离子区产生的外加电场抵消或减小量子阱中的极化电场。
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