[发明专利]一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310169244.8 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311301A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭斐;安霞;武唯康;冯慧 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中，位于SOI器件体区正下方的埋氧层的厚度在10nm以下，并且在体区正下方的埋氧层与衬底之间设置有高掺杂的埋氧电荷控制层。本发明在体区正下方的埋氧层的厚度减薄至10nm以下，辐射时该区域陷入的正电荷数量也随之减小；同时使体区内的电子遂穿入薄的埋氧层并与辐射产生的陷阱正电荷发生复合的概率增大；并且埋氧电荷控制层，降低了辐射在埋氧中的陷阱正电荷对体区电势的影响。本发明利用简单的制备方法，在不影响常规电学特性的前提下，有效的改善了SOI器件的辐射响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 辐射 引起 泄漏 电流 soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件，其特征在于，所述SOI器件包括半导体衬底(3)、埋氧层(2)、体区(10)、栅介质(11)、栅区(11)和(12)、源区和漏区17以及LDD区(14)，其中，位于体区(10)正下方的埋氧层(2)的厚度在10nm以下，并且在体区正下方的埋氧层与衬底之间设置有高掺杂的埋氧电荷控制层(6)。
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