[发明专利]穿透硅通孔背面金属平坦化方法

摘要

本发明揭示了一种穿透硅通孔背面金属平坦化方法，包括步骤：提供一硅衬底，硅衬底具有若干从硅衬底的背面露出的金属凸起；及以无应力电化学抛光的方式平坦化所述从硅衬底的背面露出的金属凸起，以使从硅衬底的背面露出的金属凸起的高度齐平。本发明通过采用无应力电化学抛光的方式平坦化硅衬底背面的金属凸起，具体通过控制抛光电压和/或电流或硅衬底旋转速度及水平移动速度来精确控制金属凸起的去除厚度，从而实现硅衬底背面的金属凸起的平坦化。

主权项

1.一种穿透硅通孔背面金属平坦化方法，其特征在于，包括步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底具有若干从硅衬底的背面露出的金属凸起；及以无应力电化学抛光的方式平坦化所述从硅衬底的背面露出的金属凸起，以使从硅衬底的背面露出的金属凸起的高度齐平，其中所述以无应力电化学抛光的方式平坦化所述从硅衬底的背面露出的金属凸起的步骤进一步包括：1)将硅衬底置于可旋转、可竖直移动及可水平移动的卡盘上；2)使一抛光电源的阳极与硅衬底电导通并使该抛光电源的阴极与用于向硅衬底的背面喷射电解液的喷嘴电连接；以及3)在所述抛光电源的供电下，使电解液通过喷嘴喷射至硅衬底的背面，以使电解液与从硅衬底的背面露出的金属发生电化学反应，其中所述步骤3)进一步包括：在使电解液与从硅衬底的背面露出的金属发生电化学反应的过程中，通过控制抛光电压和/或电流来控制金属凸起的去除厚度；其中所述通过控制抛光电压和/或电流来控制金属凸起的去除厚度的步骤进一步包括：获取硅衬底背面的金属凸起的形貌图；设定金属凸起的目标高度值；将硅衬底的背面划分为若干区域，计算出每一区域内金属凸起的去除厚度的平均值；以预设的速度移动卡盘，使硅衬底背面的一区域正对着喷嘴；查占空比表，根据该区域的金属凸起的去除厚度的平均值获得与该平均值相对应的占空比，其中所述占空比表是预先根据金属凸起的去除厚度值与占空比的一一对应关系而建立的；以及供应预设的脉冲电压和/或电流至硅衬底及喷嘴，抛光该区域内金属凸起的实际电压和/或电流等于与该区域的金属凸起的去除厚度的平均值相对应的占空比乘以预设的脉冲电压和/或电流。