[发明专利]一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310169538.0 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103227284A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 黄如;余牧溪;蔡一茂;王宗巍;潘越;方亦陈;黎明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括：底电极、阻变材料薄膜和顶电极，底电极在衬底上，阻变材料薄膜有金属掺杂，掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相应的掺杂金属；本发明中掺杂的金属需要同时满足两个条件：1）金属氧化物对应的金属与氧反应生成氧化物的吉布斯自由能低于掺杂金属对应的吉布斯自由能；2）掺杂金属及对应氧化物的导热率低于阻变材料薄膜的导热率。本发明通过选择符合条件的阻变材料、掺杂材料，用RRAM常用工艺即可制备高一致性的高速阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一致性 高速 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高一致性的高速阻变存储器，包括：底电极、阻变材料薄膜和顶电极，其特征在于，底电极在衬底上，所述阻变材料薄膜有金属掺杂，掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。
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