[发明专利]一种混合三维晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310169612.9 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311302A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种混合三维晶体管及其形成方法，该晶体管包括：衬底；绝缘层；形成在绝缘层之上的平面半导体结构；形成在平面半导体结构之上的半导体FIN，其中，半导体FIN的高度大于平面半导体结构的高度，半导体FIN的宽度小于平面半导体结构的宽度，半导体FIN的长度小于平面半导体结构的长度；两个斜坡台面，两个斜坡台面分别位于半导体FIN的两侧，斜坡台面的底部与平面半导体结构相连；栅介质，其包覆平面半导体结构的上表面和侧面以及半导体FIN的各个侧面；栅电极，其位于栅介质上方并且包覆平面半导体结构和半导体FIN；以及源漏区接触，其位于两个斜坡台面的上方。本发明的晶体管解决了FINFET器件驱动电流不能连续变化的难题,并且制备方法简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 三维 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种混合三维晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的绝缘层；形成在所述绝缘层之上的平面半导体结构；形成在所述平面半导体结构之上的半导体FIN，其中，所述半导体FIN的高度大于所述平面半导体结构的高度，所述半导体FIN的宽度小于所述平面半导体结构的宽度，所述半导体FIN的长度小于所述平面半导体结构的长度；两个斜坡台面，所述两个斜坡台面分别位于所述半导体FIN的两侧，所述斜坡台面的底部与所述平面半导体结构相连；栅介质，所述栅介质包覆所述平面半导体结构的上表面和侧面以及所述半导体FIN的各个侧面；栅电极，所述栅电极位于所述栅介质上方并且包覆所述平面半导体结构和所述半导体FIN；以及源漏区接触，所述源漏区接触分别位于所述两个斜坡台面的上方。
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