[发明专利]电荷泵、锁相环电路以及该电荷泵中的方法

摘要

本发明公开一种电荷泵，一种锁相环电路和该电荷泵中的一种方法，涉及电路技术领域。该电荷泵包括输入端口、开关以及输出端口。该输入端口接收第一相位频率调整参数。该开关依据上述相位频率调整参数切换第一电流的导通或者关断，并保持第二电流导通。上述第一电流大于上述第二电流。该输出端口输出上述第一电流和上述第二电流的总和至低通滤波器。本发明的电荷泵及电荷泵中的方法通过上述相位频率调整参数控制该第一电流和该第二电流的变化，进而控制该电荷泵充电电流和放电电流的变化，有效解决上述充电电流和放电电流之间的失配问题。

主权项

一种电荷泵，其特征在于，包括：输入端口，被配置成接收相位频率调整参数；开关，被配置成依据所述相位频率调整参数来切换第一电流导通或关断，并保持第二电流导通，其中，所述第一电流大于所述第二电流；以及输出端口，被配置成输出所述第一电流和所述第二电流的总和至低通滤波器，并且，所述电荷泵还包括：第一电流源(I0)，第一N型金属氧化物半导体场效应管NMOS(M10)，第二NMOS(M12)，第三NMOS(M14)，第一PMOS(M16)，第二PMOS(M18)以及PMOS开关(MUP)，其中所述第一PMOS和所述第二PMOS的源极与正电源电压(VDD)连接，该第一PMOS和该第二PMOS的栅极以及该第二PMOS的漏极都与所述第二NMOS的漏极连接，所述第一PMOS的漏极与所述PMOS开关的源极连接，所述第二NMOS和所述第三NMOS的栅极、该第三NMOS的漏极以及所述第一NMOS的栅极都与所述第一电流源的输出连接，所述第一NMOS、所述第二NMOS以及所述第三NMOS的源极都与负电压电压(VSS)连接，而该第一NMOS的漏极与所述PMOS开关的漏极连接，该PMOS开关的源极与所述第一PMOS的漏极连接，而该PMOS开关的栅极接收所述相位频率调整参数，从而该PMOS开关切换所述第一PMOS导通或关断，所述电荷泵的输出端口位于所述第一NMOS的漏极。