[发明专利]纳米真空场效应电子管及其形成方法

摘要

一种纳米真空场效应电子管及其形成方法，所述纳米真空场效应电子管的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有绝缘层和所述绝缘层表面的牺牲层；形成牺牲线和连接牺牲线两端的源漏牺牲层；在绝缘层内形成凹槽，使牺牲线悬空；在牺牲线表面形成介质层；在绝缘层表面形成金属层，金属层填充满所述凹槽并覆盖牺牲线，暴露出连接所述牺牲线两端的源漏牺牲层；去除源漏牺牲层，暴露出牺牲线及介质层的两端侧壁；去除牺牲线，形成通孔；在金属层表面形成隔离层；在金属层两侧的绝缘层表面形成源极和漏极，将所述通孔两端密封。所述方法工艺简单，容易与现有集成电路集成，并且能够提高纳米真空场效应电子管的性能。

主权项

一种纳米真空场效应电子管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有绝缘层和位于所述绝缘层表面的牺牲层；刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成牺牲线和连接所述牺牲线两端的源漏牺牲层，暴露出部分绝缘层的表面；在所述绝缘层内形成位于所述牺牲线下方的凹槽，所述凹槽使牺牲线悬空；在所述牺牲线表面形成厚度均匀的介质层；在所述凹槽内形成金属层，所述金属层填充满凹槽并覆盖所述牺牲线和所述牺牲线表面的介质层，并且所述金属层暴露出源漏牺牲层的表面；去除所述源漏牺牲层，暴露出金属层的部分侧壁、牺牲线的两端侧壁以及所述介质层的两端侧壁；去除所述牺牲线，形成通孔；在所述金属层表面形成隔离层；在所述金属层两侧的绝缘层表面形成源极和漏极，所述源极和漏极将所述通孔两端密封。