[发明专利]多栅极场效应晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种多栅极场效应晶体管的形成方法，包括提供衬底，在衬底内形成至少两个第一凹槽，相邻两个第一凹槽间为第一凸起结构，除第一凹槽外的衬底表面具有掩膜层；以掩膜层为掩膜，刻蚀第一凸起结构长度方向的侧壁，形成第二凸起结构，相邻两个第二凸起结构间为第二凹槽；去除掩膜层，在第二凹槽内形成介质层，介质层高度低于第二凸起结构高度，高于介质层的第二凸起结构部分为第三凸起结构；在介质层和第三凸起结构的表面形成栅极结构，栅极结构横跨在第三凸起结构上，在栅极结构两侧形成源极和漏极。将第一凸起结构的宽度尺寸变小，后续形成的沟道区容易达到全耗尽，有利于减小漏电流和增大驱动电流。

主权项

一种多栅极场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内形成至少两个第一凹槽，相邻两个所述第一凹槽之间为第一凸起结构，除第一凹槽之外的衬底表面具有掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一凸起结构长度方向的侧壁，形成第二凸起结构，相邻两个所述第二凸起结构之间为第二凹槽；去除所述掩膜层，在所述第二凹槽内形成介质层，所述介质层的高度低于所述第二凸起结构的高度，高于所述介质层的第二凸起结构部分为第三凸起结构；在所述介质层和所述第三凸起结构的表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和形成在栅介质层上的栅极，所述栅极结构横跨在所述第三凸起结构上，在栅极结构两侧形成源极和漏极；在所述介质层和所述第三凸起结构的表面形成栅极结构之前，还包括下列步骤：干法刻蚀所述第三凸起结构长度方向的侧壁；所述刻蚀所述第一凸起结构长度方向的侧壁，形成第二凸起结构的步骤包括：在所述第一凹槽内填充牺牲介质层，所述牺牲介质层的高度低于第一凸起结构的高度；以所述掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀方法刻蚀高于所述牺牲介质层的第一凸起结构部分长度方向的侧壁；第一刻蚀后，以所述掩膜层为掩膜，采用第二刻蚀方法继续刻蚀所述第一凸起结构长度方向的侧壁或者刻蚀由所述牺牲介质层覆盖的第一凸起结构在长度方向的侧壁，使所述第一凸起结构的宽度上下一致，形成第二凸起结构；形成所述第二凸起结构后，去除所述牺牲介质层。