[发明专利]一种浅沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 201310170494.3 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104143522B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽的形成方法，其包括采用至少一步刻蚀步骤刻蚀半导体衬底，形成沟槽，并在每步刻蚀步骤后，采用具有电负性的等离子体进行等离子清洗工艺清洗已形成的部分浅沟槽。本发明中，等离子体清洗工艺可有效清除，在刻蚀工艺后滞留在浅沟槽中的带电粒子，从而防止带电粒子的累积在刻蚀所产生的副产物上，并由此造成的对于后续刻蚀工序的阻碍，以及后续形成的浅沟槽的形态。此外，提高对于带电粒子清洗力度，避免带电粒子在沟槽中的累积，可有效防止由于电子在沟槽中累积而造成的STI的漏电现象出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成掩膜图形；以所述掩膜图形为掩膜，采用至少一步刻蚀步骤刻蚀所述半导体衬底，形成沟槽，所述刻蚀为干法刻蚀；所述干法刻蚀过程中，等离子态气体中的正电离子趋向于聚集到浅沟槽的底部并在所述浅沟槽底部聚集刻蚀副产物；在每步刻蚀步骤后，进行等离子体清洗工艺去除所述刻蚀副产物，所述等离子体为电负性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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