[发明专利]可变电阻存储器件有效
| 申请号： | 201310170875.1 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103855304B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金秀吉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可变电阻存储器件及其形成方法。根据本发明的可变电阻存储器件包括第一电极；第二电极，与第一电极间隔开；电阻可变层和金属绝缘体转变层，提供在第一电极与第二电极之间；以及热阻挡层，提供在（i）第一电极和金属绝缘体转变层之间，（ii）金属绝缘体转变层和电阻可变层之间，或者（iii）第二电极和金属绝缘体转变层之间。本发明利用热边界电阻TBR现象来防止在金属绝缘体转变层中产生的热的耗散，因而可以减小操作可变电阻存储器件的电流和电压。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：第一电极；第二电极，所述第二电极与所述第一电极间隔开；电阻可变层和金属绝缘体转变层，所述电阻可变层和所述金属绝缘体转变层提供在所述第一电极与所述第二电极之间；以及热阻挡层，所述热阻挡层提供在所述第一电极与所述金属绝缘体转变层之间、在所述金属绝缘体转变层与所述电阻可变层之间、或者在所述第二电极与所述金属绝缘体转变层之间，其中所述热阻挡层包括为氧化物、氮化物、或它们的组合的绝缘材料，其中所述热阻挡层具有从几至几十范围的厚度。
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