[发明专利]一种改变Cu3N薄膜择优取向的方法

摘要

本发明开了一种改变Cu3N薄膜择优取向的方法。本发明包括如下步骤：步骤1.将用于沉积样品的Si(100)衬底依次用洗洁精、丙酮、无水酒精和去离子水各超声清洗15分钟，待用；步骤2.将带掺杂材料置于Cu靶上，然后将衬底放置在样品架上，样品架与靶表面平行并且相距55mm；步骤3.当真空腔内本底气压低于6×10－6mbar时，向真空腔内通入流速为7sccm的纯氮气；共溅射靶和掺杂材料，通过改变掺杂材料在靶上的覆盖面积、覆盖位置，在衬底上合成不同组分比的Cu3NMx薄膜。本发明弥补了现有技术的不足，避免了盲目掺杂，为Cu3N薄膜的掺杂研究提供了依据。

主权项

一种改变Cu3N薄膜择优取向的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1.将用于沉积样品的Si (100)衬底依次用洗洁精、丙酮、无水酒精和去离子水各超声清洗15分钟，待用；步骤2.将带掺杂材料置于Cu靶上，然后将衬底放置在样品架上，样品架与靶表面平行并且相距55 mm；步骤3.当真空腔内本底气压低于6×10－6 mbar时，向真空腔内通入流速为7 sccm的纯氮气；共溅射靶和掺杂材料，通过改变掺杂材料在靶上的覆盖面积、覆盖位置，在衬底上合成不同组分比的Cu3NMx薄膜；所述的共溅射的材料为In、Ti或Ag。