[发明专利]一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310171556.2 | 申请日： | 2013-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103247671A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;霍田佳;汤晓燕;张玉明;张义门 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/28 |
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| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法，具有块状浮动结的碳化硅SBD器件包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离介质、N-外延层、P+型的离子注入区、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+型的离子注入区夹在所述N-外延层的中部，且将所述N-外延层分为上、下漂移区，所述P+型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。本发明将传统浮动结SBD器件的“条状”浮动结改进为“块状”，在满足所需要的击穿电压条件下，有效的增大了器件的导电通路，减小了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 块状 浮动 碳化硅 sbd 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离介质、N‑外延层、P+型的离子注入区、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+型的离子注入区夹在所述N‑外延层的中部，且将所述N‑外延层分为上、下漂移区，其特征在于，所述P+型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。
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