[发明专利]校准磁传感器的方法和装置有效
| 申请号： | 201310172424.1 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104142485B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 涂仲轩;方舒 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(中国)投资有限公司 |
| 主分类号： | G01V3/40 | 分类号： | G01V3/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种用于校准磁传感器的方法和装置。所述方法包括获取多个磁场测量值；将所述多个磁场测量值中的至少一部分代入椭球体模型，以获得所述椭球体模型的中心坐标；根据所述椭球体模型的中心坐标，确定用于校准的偏移量；以及利用所述用于校准的偏移量，对所述磁传感器进行校准。用于执行所述方法的磁传感器，包括获取模块，用于获取多个磁场测量值；控制模块，用于将所述多个磁场测量值的至少一部分代入椭球体模型，从而获得所述椭球体模型的中心坐标，以及根据所述椭球体模型的中心坐标，确定用于校准的偏移量；以及校准模块，用于基于所述用于校准的偏移量来对所述磁传感器进行校准。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 传感器 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于校准磁传感器的方法，包括：获取多个磁场测量值；将所述多个磁场测量值中的至少一部分代入椭球体模型，以获得所述椭球体模型的中心坐标；根据所述椭球体模型的中心坐标，确定用于校准的偏移量；以及利用所述用于校准的偏移量，对所述磁传感器进行校准，其中所述代入包括：确定包含多个椭球体参数的所述椭球体模型的表达式；将所述多个磁场测量值中的至少一部分代入所述椭球体模型的表达式，以获得由所述磁场测量值矩阵和所述多个椭球体参数矩阵表示的方程；利用高斯主元消去法求解所述方程，从而获得所述多个椭球体参数；以及利用所述多个椭球体参数，确定所述椭球体模型的中心坐标。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(中国)投资有限公司，未经意法半导体(中国)投资有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310172424.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
