[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

摘要

本发明提供基板处理方法和基板处理装置，能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室（11）和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路（12）的导入管（19）的基板处理装置（10）中，在对自上方以第1层、第2层以及第3层的顺序层叠有第1层、第2层以及第3层的基板（S）连续地实施蚀刻处理时，在蚀刻第1层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第1蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第2层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第2蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第3层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室的第3蚀刻气体挤出而排出。

主权项

一种基板处理方法，其用于在基板处理装置中使用多种处理气体来对基板连续地实施多个处理，该基板处理装置包括在内部具有处理空间的处理室和用于向该处理空间导入处理气体的处理气体导入路径，该基板处理方法的特征在于，该基板处理方法具有气体置换步骤，在该气体置换步骤中，在一个处理与接着该一个处理的下一个处理之间，停止向上述处理室导入上述处理气体，使均不妨碍上述一个处理和上述下一个处理的置换气体流入到上述处理气体导入路径而将该置换气体导入到上述处理室中，上述基板处理装置还包括用于向上述处理空间施加高频电力的高频电源，施加的上述高频电力使上述处理气体生成等离子体，在执行上述多个处理的期间，上述高频电源向上述处理空间施加高频电力，并且在上述气体置换步骤中也继续向上述处理空间施加高频电力，在上述气体置换步骤中向上述处理空间施加的高频电力的值小于在执行上述多个处理的期间向上述处理空间施加的高频电力的值。