[发明专利]制造具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件的方法。在一种实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括形成沟槽以及沿着沟槽的表面的电介质层。屏蔽电极形成于沟槽的下部内，并且电介质层被从沟槽的上侧壁表面去除。栅极电介质层沿着沟槽的上表面来形成。抗氧化间隔物沿着栅极电介质层而形成。其后，多晶间电介质层使用局部氧化来形成于屏蔽电极之上。氧化步骤增加了栅极电介质层的下部的厚度。抗氧化间隔物在形成邻接于栅极电介质层的栅电极之前去除。

主权项

一种用于制造具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件的方法，包括以下步骤：提供具有主表面的半导体材料区；形成从所述主表面延伸至所述半导体材料区之内的沟槽；形成沿着所述沟槽的表面的第一电介质层；形成邻接于所述第一电介质层的第一导电层，其中所述第一导电层被配置为屏蔽电极；从所述沟槽的上侧壁表面去除所述第一电介质层的部分；其后形成沿着所述沟槽的所述上侧壁表面的栅极电介质层；形成邻接于所述栅极电介质层的第一间隔层；其后形成覆盖于所述第一导电层上的第二电介质层；去除所述第一间隔层，其中在形成所述第二电介质层之后且在去除所述第一间隔层之后，所述栅极电介质层沿着所述沟槽的所述上侧壁表面保留；以及形成邻接于所述栅极电介质层和所述第二电介质层的第二导电层，其中所述第二导电层被配置为控制电极。