[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201310174837.3 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103236443A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 徐苗;罗东向;李洪濛;庞佳威;郭颖;王琅;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 510730 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法,制备方法依次包括:a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极;b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层;e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极图形;f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明制备工艺简单,所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性好、尺寸小,可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极;b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层;e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极图形;f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。
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