[发明专利]石英坩锅脱模阻隔剂及其使用方法无效
| 申请号： | 201310175080.X | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104152981A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 魏汝超 | 申请（专利权）人： | 超能高新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙潭*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石英坩锅脱模阻隔剂及其使用方法，该石英坩锅脱模阻隔剂包含99wt%以上的氮化硅(Si3N4)，以及小于1wt%的杂质，又在氮化硅(Si3N4)中，β相的氮化硅所占的比例为60%～99%，该方法包含混合步骤、喷涂步骤以及成膜步骤，将多个脱模阻隔剂的粉末与水充分混合成悬浮溶液、接着喷涂在石英坩锅的表面，最后行烘烤，将石英坩锅的表面的水分去除，使所述脱模阻隔剂的粉末在该石英坩锅的表面形成一脱模层，藉由采用高含量的β相的氮化硅(Si3N4)，能在高温时具有稳定的结构，而使得脱模层不易裂解，同时也避免了石英坩锅中的杂质扩散至多晶硅中，达到良好的脱模及阻隔效果。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 脱模 阻隔 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种石英坩锅脱模阻隔剂，主要用于成长多晶硅，其特征在于，包含：氮化硅(Si3N4)占99wt%以上，且β相的氮化硅(Si3N4)占氮化硅(Si3N4)总含量的比例为60%～99%；以及杂质，小于1wt%。
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