[发明专利]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201310175270.1 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811541B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吴政勳 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层，设置在第二半导体层上并且露出第二半导体层的一部分的第三半导体层、设置在第二半导体层的经由第三半导体层露出的部分上的栅电极以及设置在第三半导体层上在栅电极的两侧处以彼此间隔开的源电极和漏电极。在第三半导体层中在栅电极和漏电极之间形成电隔离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上的第一半导体层；在所述第一半导体层上的第二半导体层；在所述第二半导体层上并且露出所述第二半导体层的一部分的第三半导体层；在所述第二半导体层的经由所述第三半导体层露出的所述部分上的栅电极；以及在所述第三半导体层上在所述栅电极的两侧处以彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，在所述第三半导体层中在所述栅电极和所述漏电极之间设置有电隔离区域，以及其中所述电隔离区域相邻于所述漏电极。
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