[发明专利]带有空腔的衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201310175296.6 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103258778A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 叶斐;马乾志;王中党;陈国兴;张晨膑 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有空腔的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合的表面内具有凹槽；将支撑衬底和器件衬底键合在一起；向器件衬底的中心方向研磨键合后的器件衬底边缘，至去除器件衬底边缘的悬空部分；研磨减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，在研磨减薄之前首先去除边缘悬空部分，防止当减薄到某一厚度之后，器件衬底的边缘悬空处由于没有键合界面的加固保护作用，会因无法承受应力作用而发生碎裂，从而降低了在研磨的过程中发生碎边的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 空腔 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有空腔的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合的表面内具有凹槽；将支撑衬底和器件衬底键合在一起；向器件衬底的中心方向研磨键合后的器件衬底边缘，至去除器件衬底边缘的悬空部分；研磨减薄器件衬底至预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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