[发明专利]具有压缩层的图像传感器有效
申请号: | 201310175434.0 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103489884A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 曹钧涵;赖志育;黄志辉;吴政达;杜友伦;王俊智;丁世汎;蔡嘉雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种包含半导体衬底的图像传感器器件,该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅,且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅,且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 具有 压缩 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种半导体图像传感器器件,包括:半导体衬底,具有第一面和与所述第一面相对的第二面,所述衬底包含邻近所述第一面的多个辐射感应区;第一压缩层,设置在所述衬底的所述第二面上;第二压缩层,设置在所述第一压缩层上,其中所述第一压缩层和所述第二压缩层带负电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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