[发明专利]可变电阻存储结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310175513.1 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811656B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;朱文定;杨晋杰;廖钰文;陈侠威;张至扬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了可变电阻存储结构及其形成方法，其中一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构位于介电层上方。可变电阻存储结构包括设置在介电层上方的第一电极。第一电极具有侧面。可变电阻层具有设置在第一电极的侧面上方的第一部分和从第一部分延伸远离第一电极的第二部分。第二电极位于可变电阻层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：介电层；以及可变电阻存储结构，位于所述介电层上方，所述可变电阻存储结构包括：第一电极，设置在所述介电层上方，所述第一电极具有侧面；可变电阻层，呈L形，具有设置在所述第一电极的所述侧面上方的第一部分和从所述第一部分延伸远离所述第一电极的第二部分；和第二电极，设置在所述可变电阻层上方，并且与所述可变电阻层的所述第一部分和所述可变电阻层的所述第二部分均接触。
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