[发明专利]磁传感器及其灵敏度测量方法无效
| 申请号： | 201310175595.X | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103257325A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 山下昌哉;山县曜 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在设有多个霍尔元件的半导体基板上设置了磁性体的具有灵敏度测量功能的磁传感器及其灵敏度测量方法。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息，通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备：轴成分分解部(34a)，将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分；灵敏度判断部(34b)，将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度；以及灵敏度校正部(34c)，根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 灵敏度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种磁传感器，其具备相互分离地设置了多个磁感应部的半导体基板和设置在该半导体基板上的磁性体，上述磁感应部设置在上述磁性体的端部区域，该磁传感器的特征在于，在上述多个磁感应部间的区域内并且在上述磁感应部和上述磁性体之间具有用于灵敏度测量的水平磁场产生单元，该水平磁场产生单元在与上述磁感应部的磁感应方向垂直的方向上产生水平磁场成分，上述磁感应部检测与由该水平磁场产生单元所产生的上述水平磁场成分相关的垂直磁场成分，并且所述磁感应方向相对于所述半导体基板的表面垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成微电子株式会社，未经旭化成微电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310175595.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
