[发明专利]使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法

摘要

本揭露涉及使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法，其方法的步骤包括：形成第一晶体管和第二晶体管的栅极结构于半导体基板之上；形成衬垫层于该栅极结构之上及进行多个延伸离子植入工艺通过该衬垫层以形成延伸植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中。该方法还包括形成接近于该第一晶体管的该栅极结构的第一侧壁间隔件，及位于该第二晶体管之上的图案化硬掩模层；进行至少一道蚀刻工艺以移除该第一侧壁间隔件、该硬掩模层和该衬垫层；形成接近于该等栅极结构二者的第二侧壁间隔件，以及进行多个源极/漏极离子植入工艺以形成深源极/漏极植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中。

主权项

一种方法，包括：形成用于第一晶体管的栅极结构与用于第二晶体管的栅极结构在半导体基板之上；形成衬垫层于用于该第一和第二晶体管的该等栅极结构与该半导体基板之上；进行多个延伸离子植入工艺通过该衬垫层，以形成延伸植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中；形成接近于用于该第一晶体管的该栅极结构的第一侧壁间隔件，及在位于该第二晶体管之上的图案化硬掩模层；进行至少一道蚀刻工艺，以移除至少位于相邻于该第一晶体管的该栅极结构的该第一侧壁间隔件、位于该第二晶体管之上的该图案化硬掩模层以及该衬垫层；在进行该至少一道蚀刻工艺后，形成接近于该第一晶体管的该栅极结构和该第二晶体管的该栅极结构二者的第二侧壁间隔件；以及该第二侧壁间隔件在适当位置时，进行多个源极/漏极离子植入工艺，以形成深源极/漏极植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中。