[发明专利]带加热单元的微型碳纳米管湿度传感器芯片有效
申请号: | 201310177041.3 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103236429A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 刘晓为;李拓;尹亮;付强;董长春 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;B82Y15/00;G01N27/02;G01N27/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 带加热单元的微型碳纳米管湿度传感器芯片,涉及的是通过兼容于标准CMOSIC工艺制作微型碳纳米管湿度传感器的技术领域。解决了目前集成化湿度传感器普遍存在着在高湿环境下湿度检测困难及失效问题。它由硅衬底层、二氧化硅外延层、叉指电极结构的金属一层、多个焊盘窗口、多个多晶硅电阻、多个多晶硅电阻连线的金属二层、电源输入接口、钝化层、碳纳米管湿度敏感薄膜构成;碳纳米管湿度敏感薄膜的覆盖工艺为不损害芯片的溅射工艺、丝网印刷工艺或者悬涂工艺;上述所有层结构及多个多晶硅电阻结构都是用CADENCE版图绘制软件,通过标准CMOSIC工艺制作;本发明能在高湿环境下对室温条件下的湿度进行长期稳定、高速准确的检测。 | ||
搜索关键词: | 加热 单元 微型 纳米 湿度 传感器 芯片 | ||
【主权项】:
带加热单元的微型碳纳米管湿度传感器芯片,其特征在于它的衬底层为硅衬底层,硅衬底层上面设置有整层二氧化硅外延层;二氧化硅外延层上面中间部分设置有金属一层(3),金属一层(3)的结构具体为一对叉指电极层结构;在二氧化硅外延层边缘处设置有与金属叉指电极导电连通的输出接口焊盘(5);在叉指电极结构的周围设置有金属二层及其多个多晶硅电阻(1),金属二层结构为多个多晶硅电阻(1)的连线,所有多晶硅电阻(1)的连接方式为并联,并将其电源输入接口(6)设置在二氧化硅外延层边缘处;在暴露出的二氧化硅外延层上、金属一层(3)上、金属二层上和多个多晶硅电阻(1)上设置有整层钝化层,钝化层为最顶层,保护性地覆盖所有层结构;在钝化层上刻蚀出多个焊盘窗口(2),每个焊盘窗口(2)都位于叉指电极正上方并暴露出叉指电极,多个焊盘窗口(2)以方形阵列形式排列,同一叉指电极上的焊盘窗口(2)以最小间距排列;在钝化层上面中间部,即焊盘窗口(2)阵列和叉指电极对结构的正上方,设置有整层碳纳米管湿度敏感薄膜(4),覆盖住整个叉指电极对的区域;所述碳纳米管湿度敏感薄膜(4)的覆盖工艺为不损害芯片的溅射工艺、丝网印刷工艺或者悬涂工艺;上述所有层结构及多个多晶硅电阻(1)结构都是用CADENCE版图绘制软件,通过标准CMOS IC工艺制作;工艺的特征尺寸为0.5um、0.35um、0.18um或非标准等工艺条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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