[发明专利]一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法有效
| 申请号： | 201310177386.9 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103280457A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李燕妃;周锌;蔡林希;许琬;吴文杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层的高压器件相比，本发明提供的横向高压功率器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 横向 高压 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超低比导通电阻的横向高压功率器件，包括第一导电类型半导体衬底（1）、第二导电类型半导体漂移区（2）、第一导电类型半导体降场层（3）、第一导电类型半导体体区（6）、第一导电类型半导体埋层（4）、第二导电类型半导体重掺杂层（5）、场氧化层（7）、栅氧化层（8）、多晶硅栅极（9）、第二导电类型半导体漏区（10）、第二导电类型半导体源区（11）、第一导电类型半导体体接触区（12）、金属前介质（13）、源极金属（14）、漏极金属（15）；第二导电类型半导体漂移区（2）位于第一导电类型半导体衬底（1）表面，第二导电类型半导体漂移区（2）的顶层中间区域具有第一导电类型半导体降场层（3）和第二导电类型半导体重掺杂层（5），第二导电类型半导体漂移区（2）的顶层一侧区域具有与漏极金属（15）相连的第二导电类型半导体漏区（10），第二导电类型半导体漂移区（2）表面是场氧化层（7），第二导电类型半导体重掺杂层（5）位于场氧化层（7）和第一导电类型半导体降场层（3）之间；第一导电类型半导体体区（6）位于第一导电类型半导体衬底（1）表面，第一导电类型半导体体区（6）与第二导电类型半导体漂移区（2）中远离第二导电类型半导体漏区（10）的侧面相接触，第一导电类型半导体体区（6）中具有与源极金属（14）相连的第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）；第一导电类型半导体体区（6）与第一导电类型半导体衬底（1）之间还具有第一导电类型半导体埋层（4）；第一导电类型半导体体区（6）和第二导电类型半导体源区（11）的表面是栅氧化层（8），栅氧化层（8）的表面是多晶硅栅极（9）；多晶硅栅极（9）、源极金属（14）和漏极金属（15）之间的区域填充有金属前介质（13）。
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