[发明专利]一种静态随机存储单元、其通孔结构及制造方法

摘要

本发明提供一种静态随机存储单元通孔结构、其制造方法、以及静态随机存储单元，制造该通孔结构的方法包括：在衬底上形成栅极，在栅极两侧壁表面形成保护层，在保护层侧壁形成隔离偏差侧墙，以及在衬底内形成浅掺杂源漏区域；采用湿法刻蚀工艺，或经曝光显影后再采用湿法刻蚀工艺，将隔离偏差侧墙去除；在保护层侧壁表面形成隔离侧墙，以及在衬底内形成源漏扩散区域；在源漏扩散区域中形成金属硅化物；在衬底上依次形成刻蚀阻挡层和金属前介电氧化膜；经刻蚀，在保护层之间形成通孔，直至通孔底部的金属硅化物暴露出来。本发明提高了刻蚀阻挡层和金属前介电氧化膜的填充能力，实现了通孔与金属硅化物有效连接。

主权项

一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一个衬底，在所述衬底上形成栅极，在所述栅极侧壁表面形成保护层；步骤S02：在所述保护层的侧壁表面形成隔离偏差侧墙，以及在所述衬底内形成浅掺杂源漏区域；所述浅掺杂源漏区域位于所述两个相邻隔离偏差侧墙之间下方正对区域，且远离两个所述保护层侧壁所夹栅极的下方正对区域；步骤S03：采用湿法刻蚀工艺，将所述隔离偏差侧墙去除；步骤S04：在所述保护层的侧壁表面形成隔离侧墙，以及在所述衬底内形成源漏扩散区域；所述源漏扩散区域位于所述浅掺杂源漏区域，且正对所述两个相邻隔离侧墙之间下方区域，且远离两个所述保护层侧壁所夹栅极的下方正对区域；步骤S05：在所述源漏扩散区域内形成金属硅化物；步骤S06：在所述衬底上依次形成刻蚀阻挡层和金属前介电氧化膜；步骤S07：经刻蚀，在所述保护层之间形成通孔，直至所述通孔底部的所述金属硅化物暴露出来。