[发明专利]具有干扰防护功能的移动硬盘有效

专利信息
申请号: 201310177586.4 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN103268771A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 黄友华 申请(专利权)人: 成都市宏山科技有限公司
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了具有干扰防护功能的移动硬盘,它包括移动硬盘的接口,所述的接口上连接有干扰防护电路,所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管。其优点是:电路结构简单,便于小型化集成,符合移动硬盘小型化发展方向。
搜索关键词: 具有 干扰 防护 功能 移动硬盘
【主权项】:
具有干扰防护功能的移动硬盘,它包括移动硬盘的接口,其特征在于:所述的接口上连接有干扰防护电路,所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管,所述的场效应管MOS3的漏极同时与场效应管MOS2的漏极、电阻R1的一端、电阻R3的一端、电阻R4的一端相连,所述的场效应管MOS3的栅极与其的源极相连且同时连接在VDD上,所述的电阻R1的另一端串接在电阻R2上,且电阻R2的另一端接地,所述的电阻R3的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,所述的三极管的发射极接地,所述的电阻R4的另一端连接在场效应管MOS1的源极上,所述的场效应管MOS1的漏极接地,栅极连接在比较器的输出端上,所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连,另一端连接在电阻R1和电阻R2之间,所述的可控硅整流器SCR的一端连接在场效应管MOS3的源极上,另一端同时连接在场效应管MOS2的栅极和源极上且接地。
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