[发明专利]APCVD炉管复机保养方法有效
申请号: | 201310177643.9 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN104152867B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 沈建飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种APCVD炉管复机保养方法,包括如下步骤步骤一,TLC净化,利用O2结合DCE清除炉管内及位于炉管内的晶舟上的金属离子;步骤二,湿氧净化,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的DCE残留;步骤三,O2烘烤,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的水汽和有机物。通过在TLC净化步骤后面增设湿氧净化步骤,可以有效去除TLC步骤中DCE残留,尤其是DCE中的氯离子残留;通过O2烘烤步骤,可以去除炉管内的水汽和有机物,从而既可以去除金属离子和有机物,又可以有效防止DCE残留和水汽对后续薄膜厚度的影响提高了产品的良率,并且本发明提供的方法比现有的保养方法效率高、成本低。 | ||
搜索关键词: | apcvd 炉管 复机 保养 方法 | ||
【主权项】:
一种APCVD炉管复机保养方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,TLC净化,利用N2、O2结合DCE清除炉管内及位于炉管内的晶舟上的金属离子;步骤二,湿氧净化,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的DCE残留,其中,所述湿氧净化是指向炉管内通入H2和O2,利用H2和O2的生成物来去除DCE残留,湿氧净化时,反应温度控制在1000摄氏度‑1150摄氏度;步骤三,O2烘烤,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的水汽和有机物,其中,O2的气体流速是10L/min~20L/min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310177643.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的