[发明专利]APCVD炉管复机保养方法有效

专利信息
申请号: 201310177643.9 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN104152867B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 沈建飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种APCVD炉管复机保养方法,包括如下步骤步骤一,TLC净化,利用O2结合DCE清除炉管内及位于炉管内的晶舟上的金属离子;步骤二,湿氧净化,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的DCE残留;步骤三,O2烘烤,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的水汽和有机物。通过在TLC净化步骤后面增设湿氧净化步骤,可以有效去除TLC步骤中DCE残留,尤其是DCE中的氯离子残留;通过O2烘烤步骤,可以去除炉管内的水汽和有机物,从而既可以去除金属离子和有机物,又可以有效防止DCE残留和水汽对后续薄膜厚度的影响提高了产品的良率,并且本发明提供的方法比现有的保养方法效率高、成本低。
搜索关键词: apcvd 炉管 复机 保养 方法
【主权项】:
一种APCVD炉管复机保养方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,TLC净化,利用N2、O2结合DCE清除炉管内及位于炉管内的晶舟上的金属离子;步骤二,湿氧净化,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的DCE残留,其中,所述湿氧净化是指向炉管内通入H2和O2,利用H2和O2的生成物来去除DCE残留,湿氧净化时,反应温度控制在1000摄氏度‑1150摄氏度;步骤三,O2烘烤,用于去除炉管内及位于炉管内的晶舟上的水汽和有机物,其中,O2的气体流速是10L/min~20L/min。
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