[发明专利]混合集成的构件有效
| 申请号： | 201310177825.6 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103420324A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·克拉森;J·弗莱 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01P15/125;G01C19/5733;H01L23/50;H01L25/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种具有MEMS构造元件和ASIC构造元件的混合集成构件，其微机械功能基于电容探测原理和激励原理。MEMS构造元件的功能性在半导体衬底上的层结构中实现。MEMS构造元件的层结构包括半印制导线层面和功能层，在该功能层中MEMS构造元件的微机械结构构造有可偏转结构元件。印制导线层面一方面通过绝缘层相对于半导体衬底绝缘、另一方面通过绝缘层相对于功能层绝缘。ASIC构造元件面朝下安装在MEMS构造元件的层结构上并且对于MEMS构造元件的微机械结构起盖的作用。根据本发明，MEMS构造元件的可偏转结构元件构造有电容装置的电极。在MEMS构造元件的印制导线层面中构造有电容装置的固定反电极，ASIC构造元件包括电容装置的另外的反电极。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 集成 构件 | ||
【主权项】：
构件（100），具有至少一个MEMS构造元件（10）并具有至少一个ASIC构造元件（20），其中，所述MEMS构造元件（10）的功能性在半导体衬底（1）上的层结构中实现，其中，所述MEMS构造元件（10）的所述层结构包括至少一个半印制导线层面（3）和至少一个功能层（5），在所述功能层中所述MEMS构造元件（10）的微机械结构构造有至少一个可偏转的结构元件（11），其中，所述印制导线层面（3）一方面通过至少一个绝缘层（2）相对于所述半导体衬底（1）绝缘，另一方面通过至少一个绝缘层（4）相对于所述功能层（5）绝缘，其中，所述ASIC构造元件（20）面朝下安装在所述MEMS构造元件（10）的所述层结构上并且对于所述MEMS构造元件（10）的微机械结构起到盖的作用；其特征在于，所述MEMS构造元件（10）的所述可偏转的结构元件构造有一电容装置的至少一个电极，在所述MEMS构造元件（10）的所述印制导线层面（3）中构造有所述电容装置的至少一个固定的反电极（32），所述ASIC构造元件（20）包括所述电容装置的至少一个另外的反电极（611）。
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