[发明专利]多晶硅场限环有效
| 申请号： | 201310177855.7 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN104143566A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 苏少爽 | 申请（专利权）人： | 江西创成半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/36 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 343000 江西省吉*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅场限环 | ||
【主权项】：
一种新型场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。
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