[发明专利]具非对准型超级结结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310177871.6 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103311274A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 杨坤进;康剑;汪德文;王民涛 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具非对准型超级结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，设于所述衬底上，为第一掺杂类型；柱区，设于所述外延层内，为第二掺杂类型；掺杂区，设于所述柱区上方，为第二掺杂类型；金属电极，设于掺杂区上；所述柱区和掺杂区之间被所述外延层所隔断而无直接接触，所述柱区和掺杂区相距最近处的垂直距离为2至10微米。本发明还涉及一种具非对准型超级结结构的半导体器件的制造方法。本发明非对准型超级结结构与正面结构分离，生产的工艺难度降低。另外，非对准型超级结结构与正面结构分离，与产品电流大小（产品型号）不相关，使得同一系列产品均可采用相同的超级结结构，适用于系列化，从而降低超级结结构量产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 超级 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具非对准型超级结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，设于所述衬底上，为第一掺杂类型；柱区，设于所述外延层内，为第二掺杂类型；掺杂区，设于所述柱区上方，为第二掺杂类型；金属电极，设于掺杂区上；其特征在于，所述柱区和掺杂区之间被所述外延层所隔断而无直接接触，所述柱区和掺杂区相距最近处的垂直距离为2至10微米。
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