[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种器件包括二极管，该二极管包括位于半导体衬底中的第一、第二和第三掺杂区域。第一掺杂区域具有第一导电类型并且具有第一杂质浓度。第二掺杂区域具有第一导电类型并且具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。第二掺杂区域围绕第一掺杂区域。第三掺杂区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域的一部分和第二掺杂区域的一部分重叠。本发明还公开了CMOS图像传感器及其形成方法。

主权项

一种器件，包括：半导体衬底；二极管，包括：位于所述半导体衬底中且具有第一导电类型的第一掺杂区域，其中，所述第一掺杂区域具有第一杂质浓度；位于所述半导体衬底中且具有所述第一导电类型的第二掺杂区域，其中，所述第二掺杂区域具有比所述第一杂质浓度低的第二杂质浓度，并且所述第二掺杂区域环绕所述第一掺杂区域；以及位于所述半导体衬底中且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三掺杂区域，其中，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域的一部分和所述第二掺杂区域的一部分重叠。