[发明专利]氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201310178105.1 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104150940A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 胡海龙;曾宇平;左开慧;夏咏锋;姚东旭;孙庆波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/63 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；③将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先升温至900～1200℃，再升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温，最后随炉冷却。本发明的烧结方法具有烧结时间快、工艺简单、能耗低等特点，易得到净尺寸成型、复杂形状，孔隙率高、空隙可控、空隙结构定向互连的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷材料，且成型简单，最高抗弯强度可达150MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 碳化硅 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，其特征在于所述Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的氮化率高于85%，优选地高于87%，更优选地高于90%；孔隙率为30～60%，优选为32～40%，更优选为35～38%。
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