[发明专利]深通孔电阻的测试结构及测试方法

摘要

本发明公开了一种深通孔电阻的测试结构，包括四个位于衬底埋层两侧穿通隔离层连接衬底埋层的深通孔，介电质隔离硅片表面与第一层金，所述各深通孔通过第一层金属连接测试结构至测试焊点，形成六各测试端口分别连接激励线、激励线、检测线、检测线、检测线和检测线。本发明还提供了利用所述测试结构测试深通孔电阻和衬底寄生等效电阻的测试方法。本发明的深通孔电阻的测试结构及测试方法通过施加一次激励电流，能分别检测出两端深通孔的电阻与衬底埋层电阻间的电压降和衬底埋层电阻的电压降，经过一次计算即能精确解出深通孔电阻和衬底寄生等效电阻。

主权项

一种深通孔电阻测试结构的深通孔电阻测试方法，该深通孔电阻测试结构，包括：四个位于衬底埋层(103)两侧穿通隔离层(102)连接衬底埋层(103)的深通孔(100)；介电质层(101)隔离硅片表面与第一层金属(104)，所述各深通孔(100)通过第一层金属(104)连接测试结构至测试焊点，形成六个测试端口分别连接激励线F1、激励线F2、检测线S1、检测线S2、检测线S3和检测线S4；其特征是，包括：a)在测试端口1和测试端口4即在激励线F1和激励线F2间施加激励电流I，激励电流通过两端深通孔(100)的电阻R接触孔100a和电阻R接触孔100b与衬底埋层电阻R衬底103；b)在测试端口2和测试端口3即使用检测线S1和检测线S2检测出激励电流I在两端深通孔(100)的电阻R接触孔100a和R接触孔100b与衬底埋层电阻R衬底103间的电压降U；c)同时在测试端口5和测试端口6即使用检测线S3和检测线S4检测端点A和端点B间，即衬底埋层电阻R衬底103间的电压降U2＝V1‑V2；V1是检测端点A的电压，V2是检测端点B的电压；R衬底103＝U2/I；R接触孔100a＝R接触孔100b＝(U/I‑R衬底103)/2＝(U‑U2)/I/2。