[发明专利]三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法有效
| 申请号： | 201310178564.X | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104153000A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法，其化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yBiAlO3-(1-x-y)PbTiO3，其中0﹤x﹤1，0﹤y﹤1，且x+y﹤1。生长方法为：步骤A)称取Bi2O3、MgO、Nb2O5、TiO2和Al2O3，在高温下预烧；步骤B)再与铅的氧化物混合并压块；步骤C)装入坩埚中并在500～1250℃下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～20h，使起始料全部熔化，以0.1～1.2mm/h速度下降逐渐结晶，界面温度梯度为20～100℃/cm；步骤D)生长完毕，以10～300℃/h速度冷却到室温。本发明的方法可根据需要生长不同取向、不同形状和不同尺寸的压电晶体，具有工艺设备简单、操作方便、一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。 | ||
| 搜索关键词： | 三元 系弛豫型 压电 材料 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种三元系弛豫型压电单晶材料，其特征在于所述压电单晶材料的化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yBiAlO3‑(1‑x‑y)PbTiO3，其中0﹤x﹤1，0﹤y﹤1且x+y﹤1。
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