[发明专利]TEM平面样品的制备方法有效
| 申请号： | 201310178632.2 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104155156B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 赵燕丽;齐瑞娟;王小懿;段淑卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TEM平面样品的制备方法，包括以下步骤提供一晶片，所述晶片包括基底和半导体器件层，在所述半导体器件层的上面涂布有机物薄膜，切割涂布有有机物薄膜的晶片形成待测样品，与涂有有机物薄膜的表面相邻的一表面形成保护层，对所述待测样品执行离子减薄，形成TEM平面样品。在本发明提供的TEM平面样品的制备方法中，通过在样品上覆盖一定厚度的有机物薄膜，避免样品制备过程中保护层的材料（Pt或W）溅到样品上，影响样品的观测。由此，平面样品可以得到清晰的TEM图像，实现了用平面样品观察和分析薄膜填充能力的目的，弥补了现有技术中截面样品的分析局限性。 | ||
| 搜索关键词： | tem 平面 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM平面样品的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶片，所述晶片包括基底和半导体器件层；在所述半导体器件层的上面涂布有机物薄膜；切割涂布有有机物薄膜的晶片形成待测样品；与涂有有机物薄膜的表面相邻的一表面形成保护层；对所述待测样品执行离子减薄，形成TEM平面样品。
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