[发明专利]一种全固态白光发光二极管的封装方法有效

专利信息
申请号: 201310178638.X 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN103258940B 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 吴少凡;林文雄;郑熠;王晓伟 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种全固态白光发光二极管的封装方法。该包括如下步骤提供蓝宝石外延片,在其背面键合固态荧光材料形成晶圆片,对所述晶圆片进行减薄抛光,在半导体层上制作电极,将制备好的晶圆片进行划片切割制成芯片,在支撑基板上加工电极金属层,将芯片采用覆晶工艺焊接在支撑基板上形成发光二极管,本发明采用了无介质或者高折射率介质键合工艺将固态荧光材料和蓝宝石外延片直接键合成晶圆片后再进行后续加工,由于固态荧光材料和蓝宝石外延片之间为介质或者高折射率介质膜,因此减小了全反射损耗,此外先键合后切割的工艺简化了加工工艺,提高了成品率。
搜索关键词: 一种 固态 白光 发光二极管 封装 方法
【主权项】:
全固态白光发光二极管的封装方法,包括如下步骤:(1)提供一蓝宝石衬底,在其背面键合固态荧光材料形成晶圆片,所述固态荧光材料是由透明基质材料中掺入稀土离子构成的,且透明基质材料的折射率大于1.6,在晶圆片上蓝宝石表面进行外延生长半导体结构形成外延片;(2)对所述外延片进行减薄抛光;(3)在半导体层上制作电极;(4)将制备好的外延片进行划片、裂片制成芯片;(5)在芯片侧面制作可见光反射膜;(6)在支撑基板上加工电极金属层,将芯片采用覆晶工艺焊接在支撑基板上,完成发光二极管的制程。
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