[发明专利]显示面板的薄膜晶体管及其制作方法有效
申请号: | 201310178791.2 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN103337521A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 陈崇道;林武雄;陈勃学 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种薄膜晶体管,形成于一基板上。薄膜晶体管包括一栅极、一栅极绝缘层、一第一保护图案、一第二保护图案、一源极、一漏极、一半导体通道层,以及一钝化层。栅极位于基板上,栅极绝缘层位于栅极与基板上,第一保护图案与第二保护图案位于栅极上方的栅极绝缘层上,源极位于栅极绝缘层与第一保护图案上,且漏极位于栅极绝缘层与第二保护图案上。半导体通道层位于栅极绝缘层、源极与漏极上。钝化层位于半导体通道层、源极与漏极上。于源极往漏极的一延伸方向上,第一保护图案的长度小于源极的长度,且第二保护图案的长度小于漏极的长度。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,系形成于一基板上,该薄膜晶体管包括:一栅极,位于该基板上;一栅极绝缘层,位于该栅极与该基板上;一第一保护图案与一第二保护图案,位于该栅极上方的该栅极绝缘层上,该第一保护图案与该第二保护图案的材料包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟或氧化锌;一源极,位于该栅极绝缘层与该第一保护图案上;一漏极,位于该栅极绝缘层与该第二保护图案上;一半导体通道层,部分位于该源极与该漏极间的该栅极绝缘层上,且部分位于该源极与该漏极上;以及一钝化层,位于该半导体通道层、该源极与该漏极上;其中于该源极往该漏极的一延伸方向上,该第一保护图案的长度小于该源极的长度,且该第二保护图案的长度小于该漏极的长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310178791.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动间歇循环工作台
- 下一篇:用于HEMT的集成肖特基二极管
- 同类专利
- 专利分类