[发明专利]一种Nand Flash的坏列管理装置和方法在审

专利信息
申请号: 201310179482.7 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN103279424A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 黎键;陈文捷;庞荣;魏益新;郑灼荣 申请(专利权)人: 建荣集成电路科技(珠海)有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 广州市红荔专利代理有限公司 44214 代理人: 王贤义
地址: 519015 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种能延长NandFlash的使用寿命并相对扩大NandFlash的存储容量的NandFlash的坏列管理装置以及方法。本发明所述装置包括NandFlash控制器、伪随机数发生器、数据比较器、坏列控制器和NandFlash数据缓冲器,该装置的管理方法包括以下步骤:(1)查找NandFlash中的坏列;(2)建立坏列信息表;(3)写数据到NandFlash或(4)读取NandFlash中的数据;本发明通过坏列查找建立坏列信息表,读/写NandFlash时,屏蔽或者跳过坏列的位置,顺序读/写坏列之后的好列位置。本发明可应用于NandFlash领域。
搜索关键词: 一种 nand flash 管理 装置 方法
【主权项】:
一种Nand Flash的坏列管理装置,其特征在于:该装置包括Nand Flash控制器、伪随机数发生器、数据比较器、坏列控制器和Nand Flash数据缓冲器,其中,所述Nand Flash控制器用于控制Nand Flash的擦除和读写操作;所述伪随机数发生器用于产生伪随机数,配置相同的随机化种子产生相同的随机数序列;所述数据比较器用于比较从Nand Flash控制器读取的数据序列和伪随机数发生器产生相同的随机数序列;所述坏列控制器用于分析所述数据比较器输出的结果并建立坏列信息表,并保存到Nand Flash;所述Nand Flash数据缓冲器用于缓冲即将写入到Nand Flash的数据或者从Nand Flash中读取的数据。
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