[发明专利]LDNMOS管的制备方法有效
| 申请号： | 201310179570.7 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104157571B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙;郑大燮;施雪捷;魏琰;刘欣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDNMOS管的制备方法。根据本发明的方法，先在基底的掺杂层基于漏极区的位置开设第一沟槽，随后，围绕所述第一沟槽形成第一漂移区、并基于源极区的位置形成第二漂移区；接着，以绝缘材料填充所述第一沟槽，并使所形成的结构表面平坦化；最后在经过沟槽填充的结构上形成栅极区。优选地，在基底的掺杂层基于源极区的位置还可开设第二沟槽，并围绕所述第二沟槽来形成第二漂移区。由此，采用本发明的LDNMOS管的制备方法来形成的LDNMOS管，可有效降低LDNMOS管的体区电流，减小热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | ldnmos 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LDNMOS管的制备方法，其特征在于，所述LDNMOS管的制备方法至少包括：1)在基底的掺杂层基于漏极区的位置开设第一沟槽，在基底的掺杂层基于源极区的位置还开设有第二沟槽；2)围绕所述第一沟槽形成第一漂移区，围绕所述第二沟槽形成第二漂移区；3)以绝缘材料填充所述第一沟槽，并使所形成的结构表面平坦化；4)在经过沟槽填充的结构上形成栅极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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