[发明专利]一种高速硅基光探测器

摘要

本发明公开了一种基于SiGe HBT(锗硅异质结双极性晶体管)的硅基光探测器。在一个实施例中，硅基光探测器包括一个埋入N型掺杂(NBL)与一个位于其上的近本征掺杂的P型区(Collector区)，以及一个位于Collector区上的SiGe单晶层(基区)。所述SiGe单晶层为P掺杂。所述Collector区为光探测器的有源区，入射光子在此产生光生载流子，被反向偏置的由所述P型SiGe单晶、本征型Collector区和NBL区组成的PIN管所收集，在外电路中形成光电流。在另一个实施例中，在所述P型SiGe单晶层上方生长N型掺杂的多晶硅，类似于HBT中的发射极(emitter)。在其它实施例中，所述emitter层，由在P型SiGe单晶区上继续生长的N型SiGe单晶构成。

主权项

1.一种硅基光探测器，包括：一个埋入硅衬底的掺杂区；一个在所述埋入硅衬底的掺杂区之上的轻微掺杂区；一个在所述轻微掺杂区之上的第一锗硅单晶层；所述第一锗硅单晶层的掺杂类型和埋入硅衬底的掺杂区的掺杂类型相反。