[发明专利]像素阵列基板

摘要

本发明公开了一种像素阵列基板，包括基板、设置于基板上的薄膜晶体管、第一绝缘层、共用电极、第二绝缘层以及像素电极。薄膜晶体管包含有栅极、源极以及漏极。第一绝缘层覆盖于薄膜晶体管与基板上，且具有第一开口，曝露出漏极，其中第一绝缘层的厚度介于1微米与5微米之间，且介电常数介于2与5之间。共用电极设置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖于第一绝缘层与共用电极上，且具有第二开口，曝露出第一开口。像素电极设置于第二绝缘层上，并通过第一开口与第二开口与漏极电性连接。

主权项

1.一种像素阵列基板，其特征在于，包括：一基板；多个薄膜晶体管，分别设置于所述基板上，且各所述薄膜晶体管包含有一漏极；多条扫描线与多条数据线，设置于所述基板上；一第一绝缘层，覆盖于所述薄膜晶体管与所述基板上，且所述第一绝缘层具有多个第一开口，分别曝露出各所述漏极；一共用电极，设置于所述第一绝缘层上，所述共用电极具有多个第三开口，分别对应各所述第一开口设置，且分别大于且曝露出各所述第一开口；一第二绝缘层，覆盖于所述第一绝缘层与所述共用电极上，且所述第二绝缘层具有多个第二开口，曝露出各所述第一开口，所述第三开口大于所述第二开口；以及多个像素电极，设置于所述第二绝缘层上，并分别延伸至各所述第一开口与各所述第二开口中，以与各所述漏极接触并电性连接；其中，所述薄膜晶体管、所述扫描线与所述数据线的其中至少一者与所述共用电极重迭，所述第二绝缘层包括无机材料，所述第一绝缘层包括由硅、氧与碳所组成的化合物或由硅、氧、碳与氢所组成的化合物，且所述第一绝缘层具有介于1微米与5微米之间的厚度以及介于2与5之间的介电常数，其中形成所述第二绝缘层的步骤是在大于280℃的环境下进行，且所述第一绝缘层于300℃的温度下具有小于1％的重量损失率。