[发明专利]一种充电装置及充电方法在审

专利信息
申请号: 201310181894.4 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN104167768A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 刘可靖 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M3/155
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张振伟;王黎延
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种充电装置,包括:充电电路、储能电路和控制开关;所述充电电路,用于对待充电对象进行充电;所述储能电路,用于在所述充电电路对所述待充电对象充电时进行储能,并在所述充电电路处于断开状态时,对所述待充电对象进行充电;所述控制开关,用于根据周期性地接收到的控制指令交替接通、断开所述充电电路,并在接通所述充电电路时断开所述储能电路,在断开所述充电电路时接通所述储能电路。本发明还同时公开了一种前述充电装置的充电方法。采用本发明的技术方案,能提高充电效率,进而也能提升了用户体验。
搜索关键词: 一种 充电 装置 方法
【主权项】:
1.一种充电装置,其特征在于,所述装置包括充电电路、储能电路和控制开关;所述充电电路,用于对待充电对象进行充电;所述储能电路,用于在所述充电电路对所述待充电对象充电时进行储能,并在所述充电电路处于断开状态时,对所述待充电对象进行充电;所述控制开关,用于根据周期性地接收到的控制指令交替接通、断开所述充电电路,并在接通所述充电电路时断开所述储能电路,在断开所述充电电路时接通所述储能电路;所述储能电路包括:限流电容、限流电阻、第一储能电容、第二储能电容、第三储能电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一稳压管、第二稳压管、第一二极管、第二二极管,晶体三级管、MOSFET;其中,所述限流电容的一端与控制开关的一端连接,另一端分别与所述限流电阻和所述第一二极管的正极端连接,所述限流电阻的另一端与所述第一稳压管的负极端连接,所述第一稳压管的正极端分别与所述第一电阻的一端以及晶体三级管的一端连接,所述第一电阻的一端与充电电源的负极连接,所述第一二极管的负极端分别与所述第一储能电容的一端、第二电阻一端、第三电阻一端、第二二极管的负极端连接,所述第一储能电容的另一端接所述充电电源的负极,所述晶体三级管的第三端接所述充电电源的负极,所述MOSFET的集电极与所述第三电阻的一端连接,所述MOSFET的发射极分别于所述第二电阻的一端以及第二稳压管的负极端连接,所述第二稳压管的正极端接所述充电电源的负极,所述MOSFET的基极分别于所述第二二极管的正极端、所述第二储能电容的一端以及所述第三储能电容的一端连接,所述第二储能电容的另一端以及所述第三储能电容的另一端均与所述充电电源的负极连接。
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