[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法有效
申请号: | 201310182144.9 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103424983B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 深谷创一;中川秀夫;笹本纮平 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/80 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 金龙河,穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2),在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且,与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比,对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此,对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻,即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模坯料,其特征在于,在能够通过氟类干蚀刻进行蚀刻的无机材料膜上具备由含有锡的铬系材料构成的硬掩模膜,所述能够通过氟类干蚀刻进行蚀刻的无机材料膜为含有钼和硅的膜,所述含有锡的铬系材料中锡的含量相对于铬的含量以原子比计为0.01倍以上且2倍以下,所述硬掩模膜的含氧的氯类干蚀刻的清除时间与氟类干蚀刻的清除时间之比为1:11以上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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