[发明专利]一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310182264.9 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103274350A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;李天宇;李男男 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法。该隔热结构的制备方法包括：1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；2）在结构层上粘接玻璃衬片；3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。本发明可以兼容postCMOS工艺，隔热区域的有效热阻高，相对于传统的平行沟槽可以节约版图面积，对围道图形限制少，可以提高隔热性能以及器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 parylene 填充 隔热 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Parylene填充的隔热结构，其特征在于，包括基底硅片、结构层以及其间的氧化硅隔层，所述基底硅片背面的隔热区域包含若干通过深刻蚀形成的均匀排列的柱体，所述均匀排列的柱体之间填充有Parylene材料。
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