[发明专利]通过大表面积气-固界面及液相再生沉积高纯硅

摘要

固态硅通过被混合和泵送经过沉积板的表面的气态三氯氢硅和氢的还原反应来沉积在电加热的沉积板上。沉积板可以具有多种大表面积的几何形状，诸如同心圆筒、螺旋或者重复的S形。一旦已经沉积所需量的硅，沉积板就被加热到高于硅的熔点的温度，从而导致沉积的硅由于重力而以硅壳的形式从沉积板上滑落。剩下的沉积板涂覆有包含从沉积板上溶入的任何杂质的液态硅薄膜。该薄膜被单独地从主体硅壳上熔融掉落以避免污染硅壳，这样沉积板就已备好用于下一沉积周期。

主权项

一种用于生产高纯硅的方法，包括如下步骤：a.形成一个或多个沉积板，每个沉积板带有具有大表面积的一个或多个沉积表面，所述沉积板能够被迅速、均匀且同时加热，并且不会污染高纯硅，b.使所述沉积板具有几何形状，以使得平均沉积表面积与沉积反应器内部容积的比增加，c.将所述沉积板置于沉积反应器中，d.使沉积气体混合物流入所述沉积反应器中，以将硅沉积到所述沉积表面，其中所述沉积气体混合物流过所述沉积板之间的空间，并且沉积表面被加热到优化所述沉积气体混合物的沉积反应的温度，e.在所需量的硅沉积之后，将所述沉积板进一步加热到硅的熔点之上，以便在所述沉积板和其余的固态沉积硅的壳之间仅形成一薄层液态硅，f.通过施加诸如重力的力使得固态沉积硅的壳从所述沉积板滑落。